上海で開催された半導体シンポジウムにて、ファーウェイが2031年までに最先端クラスの半導体を自社製造できると宣言した。Engadgetが2026年5月25日に報じた。

発表の背景：米制裁が生んだ「自製への道」

ファーウェイは2019年以降、米国の貿易制裁によって先端半導体の製造に必要な特殊装置へのアクセスを継続的に制限されてきた。その結果、競合他社が進める先端プロセスから大きく引き離された状態が続いている。

現在、中国最大の半導体メーカーであるSMIC（中芯国際集成電路製造）が提供できるのは7nmプロセスまでにとどまる。ファーウェイのMate 60スマートフォンにはこのSMIC製7nmチップが搭載されている。

「実現可能でコスト競争力あり」——トップ自らが宣言

Engadgetの報道によると、今回の発表でファーウェイ半導体部門トップの何庭波氏は、TSMCやSamsungが採用見込みの1.4nmプロセスに相当するトランジスタ密度のチップを製造できると主張した。ウォール・ストリート・ジャーナルの取材に対し、何氏はこのプロセスを「実現可能でコスト競争力がある」と述べている。

比較項目 ファーウェイ（目標） TSMC（予定） 現状比較

プロセスノード 1.4nm相当 1.4nm —

量産開始目標 2031年 2028年 約3年の差

現在の最先端 7nm（SMIC経由） 2nm（量産中） 大きく遅れ

TSMCはすでに2028年の1.4nm量産入りを発表済みであり、ファーウェイの目標はそこから約3年の遅れとなる。

技術的な注目ポイントと課題

制裁によってEUV（極端紫外線）露光装置などへのアクセスが制限される中、7nmから一気に1.4nm相当へ到達するには相当な技術的跳躍が必要だ。今回の発表は具体的な技術ロードマップの開示を伴っておらず、シンポジウムでの口頭発表にとどまっている点は、業界関係者からも慎重に受け止められている。

一方、「技術的優位性」ではなく「コスト競争力」を訴求している点は注目に値する。制裁下でのリアリスティックな差別化戦略として読み解くことができ、高性能・低コストの代替チップとして一定の市場を狙う意図が透けて見える。

日本市場での注目点

ファーウェイのスマートフォンや通信機器は、日本では政府調達から事実上排除されており、一般市場での存在感も限定的だ。ただし、この発表の本質的な意義は製品の直接購入機会よりも、半導体サプライチェーンの地政学的変化という観点で捉えるべきだろう。

日本のラピダスが2nmプロセスの量産を目指して北海道・千歳での工場建設を進める中、中国の半導体自製能力の向上は日本の半導体戦略にも間接的な影響を与えかねない。価格競争力を持つチップが中国から供給される将来シナリオは、日本のエレクトロニクスメーカーの調達戦略にも新たな変数を加えることになる。

筆者の見解

「コスト競争力がある」という言葉に着目したい。性能での一点突破ではなく、コスト面での差別化を前面に出した戦略は、制裁という制約条件を踏まえれば現実的な方向性ではある。

しかし、現在7nmの量産体制から2031年に1.4nm相当を達成するには、5年間での大幅なノード進化が必要だ。独自技術のみでこのギャップを埋められるかは、依然として強い疑問符がつく。発表の具体性に乏しい点も含め、現時点では「宣言」と「実現」の間にある距離を冷静に見極める必要があるだろう。

半導体の世界では「言うは易く、造るは難し」という原則は変わらない。グローバルな調達リスクを考えるエンジニアや事業責任者にとって、この動向は今後も定点観測すべき重要なトピックであることは間違いない。2031年にこの宣言がどう評価されているか、注視し続けたい。

出典: この記事は Huawei claims it will make cutting-edge semiconductors by 2031 の内容をもとに、筆者の見解を加えて独自に執筆したものです。